王佑，男，1989年7月生，湖北十堰人，2017年毕业于法国国立高等电信学校（Télécom-Paristech）, 博士期间主要研究基于磁隧道结的纳米级集成电路与系统的可靠性，提出首个全面的自旋电子器件可靠性模型,此模型发布于开源网站www.spinlib.com,被国内外众多研究机构所采用.
在SCI可检索的期刊杂志中发表共计16篇论文，多次参加国际性学术会议, 其中获得一次国际性学术会议ESREF2014最佳论文海报奖和ESREF2016最佳论文提名.
在集成电路领域IEEE Transaction on Electron Device, Nanotechnology, Magnetic, Electron devices等国际期刊中长期担任评审.
参与法国科研署重大科研项目并与其它科研机构巴黎国立高等电信学院，法国原子能署（CEA），巴黎第十一大学，北京航空航天大学等建立良好合作关系。
目前主要研究方向包括纳米级集成电路设计与可靠性分析，自旋电子器件的可靠性建模，基于自旋电子器件的低功耗安全应用电路设计等。
